News

芯片制造获突破 中国解决28nm以上离子注入技术[图]

北京时间3月17日,据中国电子科技集团有限公司消息,该集团旗下装备子集团攻克系列 “卡脖子”技术,已成功实现离子注入机全谱系产品国产化,包括中束流、大束流、高能、特种应用及第三代半导体等离子注入机,工艺段覆盖至28nm,为中国芯片制造产业链补上重要一环,为全球芯片制造企业提供离子注入机一站式解决方案。据了解,离子注入机是高压小型加速器中的一种,应用数量最多。它是由离子源得到所需要的离子,经过加速得到几百千电子伏能量的离子束流,用做半导体材料、大规模集成电路和器件的离子注入,还用于金属材料表面改性和制膜等 。

离子注入机广泛用于掺杂工艺,可以满足浅结、低温和精确控制等要求,已成为集成电路制造工艺中必不可少的关键装备。除此之外,光刻机也一直是中国芯片制造无法进一步升级的障碍。此前2月25日,清华团队最新成果显示,有望解决光刻机自主研发难题。据清华新闻官方网站消息,清华大学工程物理系教授唐传祥研究组与来自亥姆霍兹柏林材料与能源研究中心(HZB)以及德国联邦物理技术研究院(PTB)的合作团队在英国《自然》杂志上发表了题为“稳态微聚束原理的实验演示”的研究论文,报告了一种新型粒子加速器光源“稳态微聚束”的首个原理验证实验。

《自然》评阅人对该研究高度评价,认为“展示了一种新的方法论”,“必将引起粒子加速器和同步辐射领域的兴趣”。《自然》相关评论文章也写道:“该实验展示了如何结合现有两类主要加速器光源——同步辐射光源及自由电子激光——的特性。SSMB光源未来有望应用于EUV光刻和角分辨光电子能谱学等领域。”该论文一经刊发,立即引起学术界及产业界的高度关注。唐传祥表示,EUV光刻机的自主研发还有很长的路要走,基于SSMB的EUV光源有望解决自主研发光刻机中最核心的“卡脖子”难题。这需要SSMB EUV光源的持续科技攻关,也需要上下游产业链的配合,才能获得真正成功。关于破解“卡脖子”难题,2020年9月22日,中共总书记习近平在教育文化卫生体育领域专家代表座谈会上表示,“我国高校要勇挑重担,释放高校基础研究、科技创新潜力”,

發佈留言

發佈留言必須填寫的電子郵件地址不會公開。 必填欄位標示為 *